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参数资料
| 型号： | V54C3256404VHUI6I |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, GREEN, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 55/56页 |
| 文件大小： | 935K |
| 代理商： | V54C3256404VHUI6I |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3256(16/80/40)4VH
8
V54C3256(16/80/40)4VH Rev1.1 July 2010
Capacitance*
VCC = 3.3 V ± 0.3 V, f = 1 Mhz
*Note:Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range ..........0 to 70 °C for normal
-40 to 85 °C for Industrial
Storage temperature range .........................-55 to 150 °C
Input/output voltage ........................... -0.3 to (VCC+0.3) V
Power supply voltage ................................... -0.3 to 4.6 V
Power dissipation ...................................................... 1 W
Data out current (short circuit) ............................... 50 mA
*Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Symbol Parameter
Max. Unit
CI1
Input Capacitance (A0 to A12)
5
pF
CI2
Input Capacitance
RAS, CAS, WE, CS, CLK, CKE, DQM
5pF
CIO
Output Capacitance (I/O)
6.5
pF
CCLK
Input Capacitance (CLK)
4
pF
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
8192 x 512
x 16 bit
C
olumn
decod
er
S
ense
ampli
fie
r&
I
(O)
b
u
s
Row decoder
Memory array
Bank 1
8192 x 512
x16 bit
Column
de
co
der
Sense
amp
lifi
e
r&
I(O
)bus
Row decoder
Memory array
Bank 2
8192 x 512
x 16 bit
Colu
mn
decoder
S
ense
amplif
ier
&
I
(O)
bu
s
Row decoder
Memory array
Bank 3
8192 x 512
x 16 bit
C
olumn
decod
er
Se
nse
am
plif
ier
&
I(
O)
bus
Input buffer
Output buffer
I/O1-I/O16
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A12, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
Row Addresses
Column Addresses
UDQM
x16 Configuration
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PDF描述 |
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