| 型号： | VB20120SG-E3/8W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE 20A 120V SIGNLE SCHOTTKY |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.33V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 120V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VB20150SG-E3/8W | DIODE 20A 150V SGL SCHOTTKY |
| VB30100S-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100SG-E3/8W | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30120SG-E3/8W | DIODE 30A 120V SIGNLE SCHOTTKY |
| VFT1045BP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VB20150C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A |
| VB20150C-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB20150C-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB20150S | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A |
| VB20150S-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |