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参数资料
| 型号： | VBP104FAS |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE PIN HI SPEED HI SENS |
| 产品目录绘图： | VBP104FAS-PHOTODIODE |
| 特色产品： | VBPW34x / VBP104x Series High-Speed PIN Photodiodes |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 950nm |
| 光谱范围： | 780nm ~ 1050nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 100ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 暗（标准）： | 2nA |
| 有效面积： | 4.4mm² |
| 视角： | 130° |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | 751-1494-6 |
VBP104FAS, VBP104FASR
www.vishay.com
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
Vishay Semiconductors
PARAMETER
Forward voltage
Breakdown voltage
Reverse dark current
Diode capacitance
Open circuit voltage
Temperature coefficient of V o
Short circuit current
Temperature coefficient of I k
Reverse light current
TEST CONDITION
I F = 50 mA
I R = 100 μA, E = 0
V R = 10 V, E = 0
V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
V R = 3 V, f = 1 MHz, E = 0
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm,
V R = 5 V
SYMBOL
V F
V (BR)
I ro
C D
C D
V o
TK Vo
I k
TK Ik
I ra
MIN.
60
25
TYP.
1
2
48
17
350
- 2.6
32
0.1
35
MAX.
1.3
30
40
UNIT
V
V
nA
pF
pF
mV
mV/K
μA
%/K
μA
Angle of half sensitivity
Wavelength of peak sensitivity
Range of spectral bandwidth
?
λ p
λ 0.5
± 65
950
780 to 1050
deg
nm
nm
Noise equivalent power
Rise time
Fall time
V R = 10 V, λ = 950 nm
V R = 10 V, R L = 1 k Ω ,
λ = 820 nm
V R = 10 V, R L = 1 k Ω ,
λ = 820 nm
NEP
t r
t f
4 x 10 -14
100
100
W/ √ Hz
ns
ns
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
1000
1.4
100
1.2
V R = 5 V
λ = 950 nm
1.0
10
0. 8
V R = 10 V
1
0.6
20
40
60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
94 8 403
T am b - Am b ient Temperat u re (°C)
94 8 409
T am b - Am b ient Temperat u re (°C)
Fig. 1 - Reverse Dark Current vs. Ambient Temperature
Fig. 2 - Relative Reverse Light Current vs. Ambient Temperature
Rev. 1.2, 24-Aug-11
2
Document Number: 81169
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 587-1794-KIT | KIT CAP CERAMIC HI CAP MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D0HT627F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| 587-1795-KIT | KIT CAP CERAMIC HI VOLT MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D00T427H | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| XMLEZW-00-0000-0B0UT430F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VBP104FASR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode |
| VBP104SR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP-HH1-V3.0-110V | 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Interface, AS-Interface 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:AS-Interface (excluding sensors) |
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