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参数资料
| 型号： | VBP104FAS |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE PIN HI SPEED HI SENS |
| 产品目录绘图： | VBP104FAS-PHOTODIODE |
| 特色产品： | VBPW34x / VBP104x Series High-Speed PIN Photodiodes |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 950nm |
| 光谱范围： | 780nm ~ 1050nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 100ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 暗（标准）： | 2nA |
| 有效面积： | 4.4mm² |
| 视角： | 130° |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | 751-1494-6 |
VBP104FAS, VBP104FASR
www.vishay.com
REEL DIMENSIONS FOR VBP104FAS AND VBP104FASR in millimeters
21732
SOLDER PROFILE
DRYPACK
Vishay Semiconductors
300
Devices are packed in moisture barrier bags (MBB) to
250
200
150
100
255 °C
240 °C
217 °C
max. 120 s
max. 26 0 °C
245 °C
max. 30 s
max. 100 s
prevent the products from moisture absorption during
transportation and storage. Each bag contains a desiccant.
FLOOR LIFE
Time between soldering and removing from MBB must not
exceed the time indicated in J-STD-020:
Moisture sensitivity: level 3
Floor life: 168 h
50
max. ramp u p 3 °C/s max. ramp do w n 6 °C/s
Conditions: T amb < 30 °C, RH < 60 %
0
0
50
100
150
200
250
300
DRYING
19 8 41
Time (s)
In case of moisture absorption devices should be baked
before soldering. Conditions see J-STD-020 or
Fig. 8 - Lead (Pb)-free Reflow Solder Profile
acc. J-STD-020
recommended conditions:
192 h at 40 °C (+ 5 °C), RH < 5 %
or
96 h at 60 °C (+ 5 °C), RH < 5 %.
Rev. 1.2, 24-Aug-11
7
Document Number: 81169
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 587-1794-KIT | KIT CAP CERAMIC HI CAP MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D0HT627F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| 587-1795-KIT | KIT CAP CERAMIC HI VOLT MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D00T427H | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| XMLEZW-00-0000-0B0UT430F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VBP104FASR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode |
| VBP104SR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP-HH1-V3.0-110V | 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Interface, AS-Interface 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:AS-Interface (excluding sensors) |
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