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参数资料
| 型号： | VBP104FAS |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE PIN HI SPEED HI SENS |
| 产品目录绘图： | VBP104FAS-PHOTODIODE |
| 特色产品： | VBPW34x / VBP104x Series High-Speed PIN Photodiodes |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 950nm |
| 光谱范围： | 780nm ~ 1050nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 100ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 暗（标准）： | 2nA |
| 有效面积： | 4.4mm² |
| 视角： | 130° |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | 751-1494-6 |
VBP104FAS, VBP104FASR
1000
100
10
www.vishay.com
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
Vishay Semiconductors
1
V R = 5 V
λ = 950 nm
0.3
0.2
0.1
0.1
0.01
94 8 421
0.1
E e - Irradiance
1
(m W /cm 2 )
10
0.0
600
21743
700
8 00 900 1000
λ - W a v elength (nm)
1100
Fig. 3 - Reverse Light Current vs. Irradiance
Fig. 6 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
100
λ = 950 nm
0°
10°
20°
30°
1 m W /cm 2
0.5 m W /cm 2
1.0
40°
10
0.2 m W /cm 2
0.1 m W /cm 2
0.9
0. 8
50°
60°
0.05 m W /cm
2
0.7
70°
8 0°
1
0.1
1
10
100
0.6
0.4
0.2
0
94 8 422
V R - Re v erse Voltage (V)
94 8 406
Fig. 4 - Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
8 0
Fig. 7 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
60
40
20
0
E=0
f = 1 MHz
0.1
1
10
100
94 8 423
V R - Re v erse Voltage (V)
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Rev. 1.2, 24-Aug-11
3
Document Number: 81169
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 587-1794-KIT | KIT CAP CERAMIC HI CAP MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D0HT627F | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| 587-1795-KIT | KIT CAP CERAMIC HI VOLT MLCC SMD |
| XMLEZW-00-0000-0D00T427H | LED XLAMP XML EASYWHITE 12V SMD |
| XMLEZW-00-0000-0B0UT430F | LED XLAMP XML EASYWHITE 6V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VBP104FASR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP104S_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PIN Photodiode |
| VBP104SR | 功能描述:光电二极管 60V 215mW 65Deg RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| VBP-HH1-V3.0-110V | 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:Interface, AS-Interface 制造商:PEPPERL+FUCHS 功能描述:AS-Interface (excluding sensors) |
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