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参数资料
| 型号： | VBT3045CBP-E3/8W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 15A 45V |
| 特色产品： | TMBS? Rectifiers |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 570mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | VBT3045CBP-E3/8WGIDKR |
VBT3045CBP
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 22-May-12
2
Document Number: 89373
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Instantaneous forward voltage per diode
IF
= 5 A
= 7.5 A 0.44 -
TA
= 25 °C
= 15 A 0.49 0.57
VF
(1)
IF
= 5 A
0.30 -
0.42 -
V
IF
IF
= 7.5 A 0.33 -
TA
= 125 °C
IF
IF
= 15 A 0.39 0.48
Reverse current per diode VR
= 45 V
TA
= 25 °C
= 125 °C 17 50 mA
IR
(2)
- 2000 μA
TA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL VBT3045CBP UNIT
Typical thermal resistance
per diode
R?JC
per device 0.85
1.6
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-263AB VBT3045CBP-E3/4W 1.38 4W 50/tube Tube
TO-263AB VBT3045CBP-E3/8W 1.38 8W 800/reel Tape and reel
1515
20
25
30
35
DC Forward Rectifed Current (A)
0
5
10
100 120 140 160 180 200
Case Temperature (°C)
DC Forward Current at
Thermal Equilibrium
0
1
6
7
8
9
02 6 10 1618481214
Average Forward Current (A)
Average Power Loss (W)
4
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5D = 0.8
D = 1.0
D = tp/T tp
T
3
5
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| VBT3045C-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 45V DUAL TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VBT3060C-E3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT. |
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| VBT3060G-E3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,60V,DUAL TRENCH SKY RECT. |
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