- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录116 > VFT1045CBP-M3/4W (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 5A 45V Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | VFT1045CBP-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 76K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5A 45V |
| 特色产品： | TMBS? Rectifiers |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 580mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | VFT1045CBP-M3/4WGI |
www.vishay.com For technical questions within your region, please contact one of the following: Document Number: 89367
2
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 27-Oct-10
VFT1045CBP
Vishay General Semiconductor
New Product
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ≤
40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Instantaneous forward voltage per diode
IF
= 2.5 A
TA
= 25 °C
= 5.0 A 0.49 0.58
VF
(1)
0.44 -
V
IF
IF
= 2.5 A
TA
= 125 °C
= 5.0 A 0.41 0.50
0.34 -
IF
Reverse current per diode VR
= 45 V
TA
= 25 °C
IR
(2)
= 125 °C 5 15 mA
- 500 μA
TA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL VFT1045CBP UNIT
Typical thermal resistance
per diode
R
per device 5.0θJC
6.5
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
ITO-220AB VFT1045CBP-M3/4W 1.75 4W 50/tube Tube
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard Rectified C
u
rrent (A)
12
10
8
6
2
0
100 110 120 130 140 150
4
0
0.5
2.5
3.0
3.5
4.0
0123 564
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (W)
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.8
D = 1.0
D = tp/T tp
T
1.0
1.5
2.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VFT2045CBP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 10A 45V |
| VFT6045CBP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 45V |
| VI-301-DP-RC-S | LCD 3.5DIGIT .35" REFL STD |
| VI-401-DP-RC-S | LCD 7SEG 4DIG 0.35" REFL STD |
| VI-422-DP-FC-S | LCD 4 DIGIT .5" TRANSFL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VFT1045C-M3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 45V DUAL TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VFT1060C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VFT1060C-E3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,60V, DUAL TRENCH SKY RECT. |
| VFT1060C-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,60V,TRENCH SKY RECT. |
| VFT1060C-M3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。