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参数资料
| 型号： | VFT1045CBP-M3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 76K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 5A 45V |
| 特色产品： | TMBS? Rectifiers |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 580mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | VFT1045CBP-M3/4WGI |
Document Number: 89367 For technical questions within your
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the following: www.vishay.com
Revision: 27-Oct-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
VFT1045CBP
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1 0.2 0.4 0.7 0.9 1.10.3 0.5
0.6 0.8
1.0
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
20 40 60
80 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
TA
= 150 °C
TA= 25 °C
TA
= 100 °C
TA
= 125 °C
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
10
1
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Junction to Case
Transient Thermal Impedance (°C/W)
ITO-220AB
0.076 (1.93) REF.
45° REF.
PIN
3
2
1
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 (1.93) REF.
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.028
(0.71)
0.020 (0.51)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
7° REF.
0.135 (3.43) DIA.
0.122 (3.08) DIA.
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
7° REF.
7° REF.
0.140 (3.56) DIA.
0.125 (3.17) DIA.
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VFT2045CBP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 10A 45V |
| VFT6045CBP-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 45V |
| VI-301-DP-RC-S | LCD 3.5DIGIT .35" REFL STD |
| VI-401-DP-RC-S | LCD 7SEG 4DIG 0.35" REFL STD |
| VI-422-DP-FC-S | LCD 4 DIGIT .5" TRANSFL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VFT1045C-M3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 45V DUAL TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VFT1060C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VFT1060C-E3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,60V, DUAL TRENCH SKY RECT. |
| VFT1060C-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:10A,60V,TRENCH SKY RECT. |
| VFT1060C-M3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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