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参数资料
| 型号： | VMM45-02F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD PHASE 200V TO-240AA |
| 标准包装： | 6 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | TO-240AA |
| 供应商设备封装： | TO-240AA |
| 包装： | 散装 |
Dual Power
HiPerFET TM Module
Phaseleg Configuration
VMM 45-02F
V DSS = 200 V
I D25 = 45 A
R DS(on) = 45 m W
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
1
TO-240 AA
1
2
3
6
4
5
5
4
2
Preliminary Data
6
3
1 = Drain 1
3 = Source 2
5 = Gate 1
2 = Source 1 , Drain 2
4 = Kelvin Source 1
6 = Gate 2
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Features
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I D80
I DM
P tot
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 10 k W
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 80°C
T C = 25°C, t p = 10 μs, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
200
200
± 20
± 30
45
34
180
190
V
V
V
V
A
A
A
W
? Two MOSFET's in phaseleg config.
? International standard package
? Direct copper bonded Al 2 O 3 ceramic
base plate
? Isolation voltage 3600 V~
? Low R DS(on) HDMOS TM process
Applications
T J
T JM
T stg
-40 ... +150
150
-40 ... +125
°C
°C
°C
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? Uninterruptible power supplies (UPS)
V ISOL
50/60 Hz
I ISOL ￡ 1 mA
t = 1 min
t=1s
3000
3600
V~
V~
Advantages
M d
Mounting torque(M5 or 10-32 UNF)
Terminal connection torque (M5)
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.
?
?
Easy to mount with two screws
Space and weight savings
Weight
Typical including screws
90
g
?
High power density
?
Low losses
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
200
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2
4
V
I GSS
I DSS
V GS = ± 20 V DC, V DS = 0
V DS = V DSS , V GS = 0 V, T J = 25°C
V DS = 0.8 ? V DSS , V GS = 0 V, T J = 125°C
500 nA
15 μA
1 mA
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 μs, duty cycle d ￡ 2%
39
45 m W
Data per MOSFET unless otherwise stated.
? 2000 IXYS All rights reserved
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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