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参数资料
| 型号： | VMM85-02F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD PHASE LEG 200V Y4 |
| 标准包装： | 6 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 370W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | Y4 |
| 供应商设备封装： | Y4 |
| 包装： | 散装 |
VMM 85-02F
I D
200
A
175
150
V GS = 10 V
9V
8V
7V
I D
200
A
175
150
V DS = 30 V
T J = 25°C
125
100
125
100
75
50
6V
75
50
25
0
5V
25
0
T J = 125 C
0
1
2
3
4
V
DS
5
V
6
0
1
2
3
4
5
6
V GS
7 V
8
Fig. 1 Typical output characteristics I D = f (V DS )
Fig. 2 Typical transfer characteristics I D = f (V GS )
2.25
1.4
R 1.3
DS(on)
norm.
normalized to
R DS(on) @0.5 I D25 , V GS = 10V
2.50
R
DS(on)
norm.
2.00
I D = 45 A
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
25
50
75
100
125 A 150
-50
-25
0
25
50
75
100
° C
125
150
100
I D
Fig. 3 Typical normalized R DS(on) = f (I D )
1.2
T J
Fig. 4 Typical normalized R DS(on) = f (T J )
V GS(th)
A
I D 80
60
40
20
0
DSS
V 1.1
norm.
1.0
0.9
0.8
0.7
V GS(th)
V DSS
0
25
50
75
100
125 ° C 150
-50
-25
0
25
50
75
100
° C
125
150
T C
Fig. 5 Continuous drain current I D = f (T C )
? 2000 IXYS All rights reserved
T J
Fig. 6 Typical normalized V DSS = f (T J ), V GS(th) = f (T J )
3-4
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PDF描述 |
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