型号: | VMO580-02F |
厂商: | IXYS |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
标准包装: | 3 |
系列: | HiPerFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 580A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.8 毫欧 @ 430A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 50mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2750nC @ 10V |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | Y3-Li |
供应商设备封装: | Y3-Li |
包装: | 散装 |
其它名称: | Q1221985A |