参数资料
型号: VMO580-02F
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
标准包装: 3
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 580A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.8 毫欧 @ 430A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 50mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2750nC @ 10V
安装类型: 底座安装
封装/外壳: Y3-Li
供应商设备封装: Y3-Li
包装: 散装
其它名称: Q1221985A
VMO 580-02F
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
° C
° C
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M6)
Terminal connection torque (M6)
3600
2.25 - 2.75
4.5 - 5.5
V~
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
Weight
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
? 2000 IXYS All rights reserved
250
g
Optional accessories for modules
keyed twin plugs
(UL758, style 1385, CSA class 5851,
guide 460-1-1)
? Type ZY180L with wire length 350mm
– for pins 4 (yellow wire) and 5 (red wire)
– for pins 11 (yellow wire) and 10 (red wire)
? Type ZY180R with wire length 350mm
– for pins 7 (yellow wire) and 6 (red wire)
– for pins 8 (yellow wire) and 9 (red wire)
2- 2
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PDF描述
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参数描述
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VMO650-01F 功能描述:MOSFET 650 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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