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参数资料
| 型号： | VMO60-05F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA |
| 标准包装： | 6 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 24mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 590W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | TO-240AA |
| 供应商设备封装： | TO-240AA |
| 包装： | 散装 |
HiPerFET TM
Power Module
High dv/dt, Low t rr , HDMOS TM Family
VMO 60-05F
V DSS = 500 V
I D25 = 60 A
R DS(on) = 65 m W
1
TO-240 AA
3
6
1
5
Preliminary Data
5
6
3
1 = Drain
5 = Gate
3 = Source
6 = Kelvin Source
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Features
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
I D25
I D100
I DM
P tot
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 10 k W
Continuous
Transient
T C = 25°C
T C = 100°C
T C = 25°C, t p = 10 μs, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
500
500
± 20
± 30
60
37
240
590
V
V
V
V
A
A
A
W
? International standard package
? Direct copper bonded Al 2 O 3 ceramic
base plate
? Isolation voltage 3600 V~
? Low R DS(on) HDMOS TM process
Applications
? Switched-mode and resonant-mode
T J
T JM
T stg
-40 ... +150
150
-40 ... +125
°C
°C
°C
power supplies
? Uninterruptible power supplies (UPS)
? DC servo and robot drives
? DC choppers
V ISOL
50/60 Hz, t = 1 min
I ISOL ￡ 1 mA, t = 1 s
3000
3600
V~
V~
M d
Mounting torque(M5 or 10-32 UNF)
Terminal connection torque (M5)
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.
2.5-4.0/22-35 Nm/lb.in.
Advantages
? Easy to mount with two screws
Weight
Typical including screws
90
g
? Space and weight savings
? High power density
? Low losses
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V DSS
V GS = 0 V
500
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 24 mA
2
4
V
I GSS
I DSS
V GS = ± 20 V DC, V DS = 0
V DS = V DSS , V GS = 0 V, T J = 25°C
V DS = 0.8 ? V DSS , V GS = 0 V, T J = 125°C
500 nA
600 μA
3 mA
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ￡ 300 μs, duty cycle d ￡ 2 %
65
75 m W
Data per MOSFET unless otherwise stated.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
1-2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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