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参数资料
| 型号： | VMO60-05F |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA |
| 标准包装： | 6 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 24mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 405nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 590W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | TO-240AA |
| 供应商设备封装： | TO-240AA |
| 包装： | 散装 |
VMO60-05F
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 pulsed
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 W (External), resistive load
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
30
60
12.6
1.35
0.405
50
45
250
30
405
90
180
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.21 K/W
R thCH
d S
d A
a
heatsink compound applied
Creepage distance on surface
Strike distance through air
Allowable acceleration
12.7
9.6
0.2
K/W
mm
mm
50 m/s 2
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S ; V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 μs, duty cycle d ￡ 2%
I F = I S , -di/dt = 100 A/μs, V DS = 100 V, V GS = 0 V
60
240
1.5
250
A
A
V
ns
? 2000 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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