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参数资料
| 型号： | VUM24-05N |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 600V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 40A |
| 二极管类型： | 单相 - PFC 模块 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | PCB |
| 封装/外壳： | 螺钉安装 |
| 包装： | 散装 |
VUM 24-05N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
350
A
300
V = 0.8V
R RRM
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 2 mA
V DS = 20 V, I D = 20 mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
500
2
5
± 500
V
V
nA
I FSM
250
200
T VJ = 45 ° C
I DSS
R DS(on)
R Gint
V DS = 500 V, V GS = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
2
0.12
1.5
mA
Ω
Ω
150
100
g fs
V DS
V DS = 15 V,
I DS = 24 A,
I DS = 12 A
V GS = 0 V
30
1.5
S
V
50
T VJ = 125 ° C
t d(on)
t d(off)
V DS = 250 V, I DS = 12 A, V GS = 10 V
Zgen. = 1 Ω , L-load
100
220
ns
ns
0
0.001
0.01
0.1
s
1
C iss
C oss
C rss
V DS = 25 V, f = 1 MHz, V GS = 0 V
8.5
0.9
0.3
nF
nF
nF
t
Fig. 1 Non-repetitive peak surge
current (Rectifier Diodes)
Q g
R thJH
V DS = 250 V, I D = 12 A,
with heat transfer paste
V GS = 10 V
350
nC
0.38 K/W
500
V F
I F
= 22 A;
T VJ = 25°C
1.65
V
A 2 s
T VJ =150°C
1.4
V
400
I R
V R
V R
= 600 V, T VJ = 25°C
= 480 V, T VJ = 25°C
T VJ =125°C
1.5
0.25
7
mA
mA
mA
300
V T0
r T
For power-loss calculations only
T VJ = 125°C
1.14 V
10 m Ω
I 2 t
200
T VJ = 45 ° C
I RM
I F
V R
= 30 A; -di F /dt = 240 A/ μ s
= 350 V, T VJ = 100°C
10
11
A
100
T VJ = 125 ° C
R thJH
with heat transfer paste
1.8 K/W
V F
I R
I F
V R
= 20 A, T VJ = 25°C
T VJ =125°C
= 800 V T VJ = 25°C
1.4
1.4
0.25
V
V
mA
0
1
t
ms
10
V R
= 640 V, T VJ =125°C
2
mA
Fig. 2 I 2 t for fusing (Rectifier Diodes)
V T0
r T
R thJH
For power-loss calculations only
T VJ = 125°C
with heat transfer paste
1.05 V
16 m Ω
2 K/W
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
? 2007 IXYS All rights reserved
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VUM25-05E | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-A |
| VUM33-05N | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| VUM85-05A | MOSFET STAGE BOOST 500V V2-PACK |
| W-HT-2285 | TOOL EXTRACTOR HT-2285 .062 |
| XY2B-1006 | ATTACHMENT FOR XG2A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VUM25-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction |
| VUM25-05E | 功能描述:MOSFET 25 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VUM33-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Stage for Boost Converters |
| VUM33-05N | 功能描述:分立半导体模块 33 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| VUM33-06PH | 功能描述:桥式整流器 Power MOSFET Stage for Boost Converters RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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