- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录640 > VUM24-05N (IXYS)MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | VUM24-05N |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 600V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 40A |
| 二极管类型： | 单相 - PFC 模块 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | PCB |
| 封装/外壳： | 螺钉安装 |
| 包装： | 散装 |
VUM 24-05N
80
A
70
10 V
80
A
70
2.5
R DS(on) I D =18A
60
I D 50
40
30
7V
6V
V GS = 5 V
60
I D 50
40
30
T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
2.0
norm.
1.5
1.0
20
10
20
10
0.5
0
0
0.0
0
2
4
V DS
6
8
V 10
2
3
4
V GS
5
6
V 7
-50
0
T VJ
50
100 ° C 150
Fig. 3 Typ. output characteristic
I D = f (V DS ) (MOSFET)
1.4
Fig. 4 Typ. transfer characteristics
I D = f (V GS ) (MOSFET)
12
Fig. 5 Typ. normalized
R DS(on) = f (T VJ ) (MOSFET)
100
BV DSS
V GS(th)
1.2
1.0
norm.
V GS(th)
V DSS
V GS
V
10
8
6
V DS = 250 V
I D = 18 A
I G = 10 mA
nF
10
C
C iss
0.8
4
1
C oss
0.6
2
C rss
0.4
-50
0
50
100 ° C 150
0
0
100
200
300 nC 400
0.1
0
5
10
15
V
20
T V J
Fig. 6 Typ. normalized BV DSS = f (T VJ )
V GS(th) = f (T VJ ) (MOSFET)
Q g
Fig. 7 Typ. turn-on gate charge
characteristics, V GS = f (Q g ) (MOSFET)
V DS
Fig. 8 Typ. capacitances C = f (V DS ),
f = 1 MHz (MOSFET)
80
s
60
120
A
100
3.0
μ C
2.5
T V J =100 ° C
V R = 350 V
max.
g fs
40
I F
80
60
T VJ =150 ° C
T VJ =100 ° C
Q rr 2.0
1.5
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
20
40
20
T VJ = 25 ° C
1.0
0.5
I F = 18.5 A
typ.
0
0
20
40
60
80 A 100
0
0.5
1.0
1.5
2.0 V 2.5
0.0
10
100
A/ μ s 1000
I D
Fig. 9 Typ. transconductance,
g fs = f (I D ) (MOSFET)
V F
Fig. 10 Forward current versus
voltage drop (Boost Diode)
-di F /dt
Fig. 11 Recovery charge versus -di F /dt
(Boost Diode)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
? 2007 IXYS All rights reserved
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VUM25-05E | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-A |
| VUM33-05N | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| VUM85-05A | MOSFET STAGE BOOST 500V V2-PACK |
| W-HT-2285 | TOOL EXTRACTOR HT-2285 .062 |
| XY2B-1006 | ATTACHMENT FOR XG2A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VUM25-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction |
| VUM25-05E | 功能描述:MOSFET 25 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VUM33-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Stage for Boost Converters |
| VUM33-05N | 功能描述:分立半导体模块 33 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| VUM33-06PH | 功能描述:桥式整流器 Power MOSFET Stage for Boost Converters RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。