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参数资料
| 型号： | VUM24-05N |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 600V |
| 电流 - DC 正向(If)： | 40A |
| 二极管类型： | 单相 - PFC 模块 |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 安装类型： | PCB |
| 封装/外壳： | 螺钉安装 |
| 包装： | 散装 |
VUM 24-05N
50
A T V J =100 ° C
V R = 350 V
40
1.4
1.2
0.6
μ s
0.5
T V J =100 ° C
V R = 350 V
I RM
30
20
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
I F = 18.5 A
max.
K t
1.0
0.8
I RM
t rr
0.4
0.3
0.2
max.
I F = 37 A
I F = 74 A
I F = 37 A
I F = 18.5 A
10
typ.
0.6
Q r
0.1
typ.
°C
0
0
100
200
300 400
A/ μ
500 s 600
0.4
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0
100
200
A/ μ
300 400 500 s 600
-di F /dt
Fig. 12 Peak reverse current versus
-di F /dt (Boost Diode)
T VJ
Fig. 13 Dynamic parameters versus
junction temperature (Boost Diode)
-di F /dt
Fig. 14 Recovery time versus
-di F /dt (Boost Diode)
18
V
16
0.9
μ s
8
kW T S =85°C
7
7
kW T S =85°C
6
14
V FR
12
V FR
0.7
6
P out
5
V in = 230 V/50 Hz
P out
5
f c = 40 kHz
4
10
8
0.5
4
3
3
6
t FR
0.3
2
V in = 115 V/60 Hz
2
f c = 80 kHz
4
t FR
1
1
2
0
100
200
0.1
A/ μ s
300 400 500 600
0
0
20
40
60
80
100
kHz 120
0
0
50
100
150
V
200
250
di F /dt
Fig. 15 Peak forward voltage versus
-di F /dt (Boost Diode)
f c
Fig. 16 Output power versus carrier
frequency (Module)
V in (RMS)
Fig. 17 Output power versus
mains voltage
6
kW
2.5
K/W
VUM 24
5
f c = 80 kHz
V in = 230 V/50 Hz
2.0
P out
4
3
2
1
V in = 115 V/60 Hz
Z thJC
1.5
1.0
0.5
Rectifier Diodes
Boost Diode
MOSFET
0
40
60
80
100 ° C 120
0.0
0.01
0.1
1
s
10
T S
Fig. 18 Output power versus
t
Fig. 19 Transient thermal impedance junction to case for all devices
heatsink temperature (Module)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
? 2007 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VUM25-05E | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-A |
| VUM33-05N | MOSFET STAGE BOOST 500V V1-B |
| VUM85-05A | MOSFET STAGE BOOST 500V V2-PACK |
| W-HT-2285 | TOOL EXTRACTOR HT-2285 .062 |
| XY2B-1006 | ATTACHMENT FOR XG2A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VUM25-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Rectifier Module for Three Phase Power Factor Correction |
| VUM25-05E | 功能描述:MOSFET 25 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VUM33-05 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Power MOSFET Stage for Boost Converters |
| VUM33-05N | 功能描述:分立半导体模块 33 Amps 500V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| VUM33-06PH | 功能描述:桥式整流器 Power MOSFET Stage for Boost Converters RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
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