- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202140 > W25Q32BWZPIP (WINBOND ELECTRONICS CORP) 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W25Q32BWZPIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN, WSON-8 |
| 文件页数： | 55/72页 |
| 文件大小： | 2212K |
| 代理商： | W25Q32BWZPIP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页当前第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
W25Q32BW
Publication Release Date: July 08, 2010
- 59 -
Preliminary - Revision E
11.4 DC Electrical Characteristics
SPEC
PARAMETER
SYMBOL CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Input Capacitance
CIN(1)
VIN = 0V(1)
6
pF
Output Capacitance
Cout(1)
VOUT = 0V(1)
8
pF
Input Leakage
ILI
±2
A
I/O Leakage
ILO
±2
A
Standby Current
ICC1
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
10
40
A
Power-down Current
ICC2
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
1
5
A
High performance
current
ICC3
After enable High
Performance mode
50
100
A
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz(2)
ICC4
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
4/5/6
6/10/12
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 33MHz(2)
ICC4
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
6/8/9
9/12/15
mA
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 70MHz(2)
ICC4
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
10/10/12
15/20/24
mA
Current Write Status
Register
ICC5
/CS = VCC
8
12
mA
Current Page Program
ICC6
/CS = VCC
20
25
mA
Current Sector/Block
Erase
ICC7
/CS = VCC
20
25
mA
Current Chip Erase
ICC8
/CS = VCC
20
25
mA
Input Low Voltage
VIL
–0.5
VCC x 0.3
V
Input High Voltage
VIH
VCC x 0.7
VCC + 0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 100 A
0.2
V
Output High Voltage
VOH
IOH = –100 A
VCC – 0.2
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA = 25° C, VCC = 1.8V.
2. Checker Board Pattern.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5E | 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
| WF128K32N-150HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, HIP66 |
| WPS512K8LB-85GM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| WPS128K32GV-17PJI | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, PQMA68 |
| WF2M32B-150HM5 | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 150 ns, CHIP66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q32DW | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q32DWSFIG | 功能描述:IC FLASH SPI 32MBIT 16SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W25Q32DWSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q32DWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 32MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W25Q32DWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。