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参数资料
| 型号： | W25Q40BWSNIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 3.81 MM, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 55/70页 |
| 文件大小： | 2088K |
| 代理商： | W25Q40BWSNIG |
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W25Q40BW
Publication Release Date: January 27, 2011
- 59 -
Preliminary - Revision A
9.4 DC Electrical Characteristics
PARAMETER
SYMBOL CONDITIONS
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
Input Capacitance
CIN(1)
VIN = 0V(1)
6
pF
Output Capacitance
Cout(1)
VOUT = 0V(1)
8
pF
Input Leakage
ILI
±2
A
I/O Leakage
ILO
±2
A
Standby Current
ICC1
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
25
50
A
Power-down Current
ICC2
/CS = VCC,
VIN = GND or VCC
5
10
A
Current Read Data /
Dual /Quad 1MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
4/5/6
6/10/12
mA
Current Read Data /
Dual /Quad 33MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
6/8/9
9/12/15
mA
Current Read Data /
Dual Output Read/Quad
Output Read 80MHz(2)
ICC3
C = 0.1 VCC / 0.9 VCC
DO = Open
10/10/12
15/20/24
mA
Current Write Status
Register
ICC4
/CS = VCC
15
20
mA
Current Page Program
ICC5
/CS = VCC
20
25
mA
Current Sector/Block
Erase
ICC6
/CS = VCC
20
25
mA
Current Chip Erase
ICC7
/CS = VCC
20
25
mA
Input Low Voltage
VIL
–0.5
VCC x 0.3
V
Input High Voltage
VIH
VCC x 0.7
VCC + 0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 100 A
0.2
V
Output High Voltage
VOH
IOH = –100 A
VCC – 0.2
V
Notes:
1. Tested on sample basis and specified through design and characterization data. TA = 25° C, VCC = 1.8V.
2. Checker Board Pattern.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS512K32-25HI | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, CHIP66 |
| WS512K32N-70HI | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CHIP66 |
| WF128K32-60G4I5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 60 ns, CQFP68 |
| WMS128K8-17FME | 128K X 8 STANDARD SRAM, 17 ns, CDFP36 |
| WMS128K8-20FME | 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDFP36 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q40BWSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 80MHZ 8SOIC |
| W25Q40BWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q40BWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q40BWSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 80MHZ 8SOIC |
| W25Q40BWUXIG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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