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参数资料
| 型号： | W25X40BVZPIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 16/51页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 4MBIT 8WSON |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON（6x5） |
| 包装： | 管件 |
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W25X10BV/20BV/40BV
9.2.3
Write Enable (06h)
The Write Enable instruction (Figure 4) sets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register to
a 1. The WEL bit must be set prior to every Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase
and Write Status Register instruction. The Write Enable instruction is entered by driving /CS low,
shifting the instruction code “06h” into the Data Input (DI) pin on the rising edge of CLK, and then
driving /CS high.
Figure 4. Write Enable Instruction Sequence Diagram
9.2.4
Write Disable (04h)
The Write Disable instruction (Figure 5) resets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register
to a 0. The Write Disable instruction is entered by driving /CS low, shifting the instruction code “04h”
into the DIO pin and then driving /CS high. Note that the WEL bit is automatically reset after Power-up
and upon completion of the Write Status Register, Page Program, Sector Erase, Block Erase and
Chip Erase instructions.
Figure 5. Write Disable Instruction Sequence Diagram
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W25X40CLSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25X40CLUXIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:NOT IN PRICE BOOK CONSULT FACT |
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