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参数资料
| 型号： | W942516CH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 4/47页 |
| 文件大小： | 2809K |
| 代理商： | W942516CH-75 |
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W942516CH
- 12 -
-5
-6
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNITS NOTES
tRC
Active to Ref/Active Command Period
55
60
tRFC
Ref to Ref/Active Command Period
70
72
tRAS
Active to Precharge Command Period
40
70000
42
100000
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
15
18
tRAP
Active to Read with Auto Precharge Enable
15
nS
tCCD
Read/Write(a) to Read/Write(b) Command Period
1
tCK
tRP
Precharge to Active Command Period
15
18
tRRD
Active(a) to Active(b) Command Period
10
12
tWR
Write Recovery Time
15
tDAL
Auto Precharge Write Recovery + Precharge Time
30
2.5
5
10
6
12
tCK
CLK Cycle Time
3
5
10
6
12
tAC
Data Access Time from CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.7
0.7
tDQSCK
DQS Output Access Time from CLK, CLK
-0.55
0.55
-0.6
0.6
16
tDQSQ
Data Strobe Edge to Output Data Edge Skew
0.4
0.45
nS
tCH
CLk High Level Width
0.45
0.55
0.45
0.55
tCL
CLK Low Level Width
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
11
tHP
CLK Half Period (minimum of actual tCH, tCL)
Min.
(tCL,tCH)
Min.
(tCL,tCH)
tQH
DQ Output Data Hold Time from DQS
tHP
-0.5
tHP
-0.55
nS
tRPRE
DQS Read Preamble Time
0.9
1.1
0.9
1.1
tRPST
DQS Read Postamble Time
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
11
tDS
DQ and DM Setup Time
0.4
0.45
tDH
DQ and DM Hold Time
0.4
0.45
tDIPW
DQ and DM Input Pulse Width (for each input)
1.75
nS
tDQSH
DQS Input High Pulse Width
0.35
tDQSL
DQS Input Low Pulse Width
0.35
tDSS
DQS Falling Edge to CLK Setup Time
0.2
tDSH
DQS Falling Edge Hold Time from CLK
0.2
tCK
11
tWPRES
Clock to DQS Write Preamble Set-up Time
0
nS
tWPRE
DQS Write Preamble Time
0.25
tWPST
DQS Write Postamble Time
0.4
0.6
0.4
0.6
tDQSS
Write Command to First DQS Latching Transition
0.72
1.28
0.75
1.25
11
tDSSK
UDQS – LDQS Skew (x 16)
-0.25
0.25
-0.25
0.25
tCK
tIS
Input Setup Time
0.6
0.75
tIH
Input Hold Time
0.6
0.75
tIPW
Control & Address Input Pulse Width (for each input)
2.2
tHZ
Data-out High-impedance Time from CLK, CLK
Max tAC
-0.7
0.7
tLZ
Data-out Low-impedance Time from CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.7
0.7
tT(SS)
SSTL Input Transition
0.5
1.5
0.5
1.5
nS
tWTR
Internal Write to Read Command Delay
2
tCK
tXSNR
Exit Self Refresh to non-Read Command
75
ns
tXSRD
Exit Self Refresh to Read Command
10
tCK
tREF
Refresh Time (8k)
64
mS
tMRD
Mode Register Set Cycle Time
10
12
nS
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PDF描述 |
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