- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录68559 > W942516CH-75 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | W942516CH-75 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件页数： | 6/47页 |
| 文件大小： | 2809K |
| 代理商： | W942516CH-75 |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页
W942516CH
- 14 -
(10) Transition times are measured between VIH min(AC) and VIL max(AC).Transition (rise and fall) of input signals have a fixed
slope.
(11) IF the result of nominal calculation with regard to tCK contains more than one decimal place, the result is rounded up to
the nearest decimal place.
(i.e., TDQSS = 0.75
× tCK, tCK = 7.5 nS, 0.75 × 7.5 nS = 5.625 nS is rounded up to 5.6 nS.)
(12) VX is the differential clock cross point voltage where input timing measurement is referenced.
(13) VID is magnitude of the difference between CLK input level and CLK input level.
(14) VISO means {VICK(CLK)+V
( CLK )}/2.
ICK
(15) Refer to the figure below.
CLK
VSS
VICK
VX
VICK
VID(AC)
0 V Differential
VISO
VISO(min)
VISO(max)
VSS
(16) tAC and tDQSCK depend on the clock jitter. These timing are measured at stable clock.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9425G6DH-6F | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9425G6DH-6I | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9425G8EH-5 | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W9451GBDA-6 | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184 |
| W9451GBDA-75 | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W9425G6DH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M X 4 BANKS X 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4 M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH_0812 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4 M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9425G6EH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。