参数资料
型号: W949D2CBJX5I
厂商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分类: DRAM
英文描述: 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90
封装: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-90
文件页数: 45/60页
文件大小: 1160K
代理商: W949D2CBJX5I
W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date: Jun, 14, 2011
- 5 -
Revision A01-006
3. PIN CONFIGURATION
3.1 Ball Assignment: LPDDR X16
60 BALL
VFBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
B
VDDQ
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSSQ
C
VSSQ
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
VDDQ
D
VDDQ
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
VSSQ
E
VSSQ
UDQS
DQ8
DQ7
LDQS
VDDQ
F
VSS
UDM
NC
LDM
VDD
G
CKE
CK
WE
CAS
RAS
H
A9
A11
A12
CS
BA0
BA1
J
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
K
VSS
A4
A5
A2
A3
VDD
(Top View) Pin Configuration
3.2 Ball Assignment: LPDDR X32
90 BALL
VFBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
VSS
DQ31
VSSQ
VDDQ
DQ16
VDD
B
VDDQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VSSQ
C
VSSQ
DQ27
DQ28
DQ19
DQ20
VDDQ
D
VDDQ
DQ25
DQ26
DQ21
DQ22
VSSQ
E
VSSQ
DQS3
DQ24
DQ23
DQS2
VDDQ
F
VDD
DM3
NC
DM2
VSS
G
CKE
CK
WE
CAS
RAS
H
A9
A11
A12
CS
BA0
BA1
J
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
K
A4
DM1
A5
A2
DM0
A3
L
VSSQ
DQS1
DQ8
DQ7
DQS0
VDDQ
M
VDDQ
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
VSSQ
N
VSSQ
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
VDDQ
P
VDDQ
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSSQ
R
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
(Top View) Pin Configuration
相关PDF资料
PDF描述
W949D6CBHX6E 32M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60
W949D2CBJX6G 16M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90
W963B6BBN80E 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48
W964A6BBN70E 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
W964L6ABN70E 1M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
相关代理商/技术参数
参数描述
W949D2CBJX5I TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST
W949D2CBJX6E 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA
W949D2CBJX6ETR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM
W949D2CBJX6G 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR
W949D2KBJX5E 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY