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参数资料
| 型号： | W9812G21H-6I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 6/36页 |
| 文件大小： | 1422K |
| 代理商： | W9812G21H-6I |
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W9812G2IH
Publication Release Date:Nov. 06, 2008
- 14 -
Revision A01
9
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
NOTES
Input/Output Voltage
VIN, VOUT
-0.3~VDD+ 0.3V
V
1
Power Supply Voltage
VDD, VDDQ
-0.3 ~ 4.6
V
1
Operating Temperature(-6C/-6/-75)
TOPR
0 ~ 70
°C
1
Operating Temperature(-6I)
TOPR
-40 ~ 85
°C
1
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ 150
°C
1
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°C
1
Power Dissipation
PD
1
W
1
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
1
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
9.2 Recommended DC Operating Conditions
(TA = 0 to 70°C for -6C/-6/-75, TA = -40 to 85°C for -6I)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTES
Power Supply Voltage
VDD
3.0
3.3
3.6
V
I/O Buffer Supply Voltage
VDDQ
3.0
3.3
3.6
V
Input High Voltage
VIH
2.0
-
VDD + 0.3
V
1
Input Low Voltage
VIL
-0.3
-
0.8
V
2
Output logic high voltage
VOH
2.4
-
V
IOH= -2mA
Output logic low voltage
VOL
-
0.4
V
IOL= 2mA
Input leakage current
II(L)
-5
-
5
A
3
Output leakage current
IO(L)
-5
-
5
A
4
Note:
1.
VIH (max.) = VDD/VDDQ+1.5V for pulse width
< 5 nS.
2.
VIL (min.) = VSS/VSSQ-1.5V for pulse width
< 5 nS.
3.
Any input 0V
<VIN<VDDQ.
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.
4.
Output disabled, 0V ≤ VOUT ≤ VDDQ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| W986432DH-8 | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO86 |
相关代理商/技术参数 |
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