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参数资料
| 型号： | W9864G6JH-6I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP2-54 |
| 文件页数： | 5/43页 |
| 文件大小： | 662K |
| 代理商： | W9864G6JH-6I |
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W9864G6JH
Publication Release Date: Aug. 31, 2010
- 13 -
Revision A02
9. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
NOTES
Input, Output Voltage
VIN, VOUT
-0.5 ~ VDD + 0.5 (
≤ 4.6V max.)
V
1
Power Supply Voltage
VDD,
VDDQ
-0.5 ~ 4.6
V
1
Operating Temperature (-5/-6/-7/-7S)
TOPR
0 ~ 70
°C
1
Operating Temperature (-6I)
TOPR
-40 ~ 85
°C
1
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ 150
°C
1
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°C
1
Power Dissipation
PD
1
W
1
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
1
Note:
1. Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability of
the device.
9.2 Recommended DC Operating Conditions
(TA = 0 to 70°C for -5/-6/-7/-7S, TA= -40 to 85°C for -6I)
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTES
Power Supply Voltage for -5/-6/-6I
VDD
3.0
3.3
3.6
V
2
Power Supply Voltage for -7/-7S
VDD
2.7
-
3.6
V
2
Power Supply Voltage for -5/-6/-6I (for I/O Buffer)
VDDQ
3.0
3.3
3.6
V
2
Power Supply Voltage for -7/-7S (for I/O Buffer)
VDDQ
2.7
-
3.6
V
2
Input High Voltage
VIH
2.0
-
VDD + 0.3
V
2
Input Low Voltage
VIL
-0.3
-
0.8
V
2
Note
: VIH(max) = VDD/ VDDQ+1.5V for pulse width < 5 nS
VIL(min) = VSS/ VSSQ-1.5V for pulse width < 5 nS
9.3 Capacitance
(VDD =3.3V±0.3V, TA = 25
°C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1,
CS , RAS , CAS , WE , CKE)
Ci1
2.5
4
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
2.5
4
pf
Input/Output Capacitance (DQ0
DQ15)
Co
4
6.5
pf
Input Capacitance DQM
Ci2
3.0
5.5
pf
Note:
These parameters are periodically sampled and not 100% tested
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