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参数资料
| 型号： | XC3S1200E-4FTG256C |
| 厂商： | Xilinx Inc |
| 文件页数： | 165/227页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPARTAN3E FPGA 1200K 256FTBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | Spartan®-3E |
| LAB/CLB数： | 2168 |
| 逻辑元件/单元数： | 19512 |
| RAM 位总计： | 516096 |
| 输入/输出数： | 190 |
| 门数： | 1200000 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-FTBGA |
| 其它名称： | 122-1529 XC3S1200E-4FTG256C-ND |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页当前第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页
Spartan-3E FPGA Family: Functional Description
DS312 (v4.1) July 19, 2013
Product Specification
42
Setting the WRITE_MODE attribute to a value of
NO_CHANGE, puts the DO outputs in a latched state when
asserting WE. Under this condition, the DO outputs retain
the data driven just before WE is asserted. NO_CHANGE
timing is shown in the portion of Figure 35 during which WE
is High.
X-Ref Target - Figure 34
Figure 34: Waveforms of Block RAM Data Operations with READ_FIRST Selected
X-Ref Target - Figure 35
Figure 35: Waveforms of Block RAM Data Operations with NO_CHANGE Selected
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
old MEM(bb)
old MEM(cc)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_06_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
Prior stored data
DI
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_07_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
No change during write
DI
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