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参数资料
| 型号： | YG832C04R |
| 英文描述： | MAX 7000 CPLD 256 MC 208-RQFP |
| 中文描述： | 肖特基二极管 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | YG832C04R |
(40V / 12A TO-22OF15)
YG832C04R
1
10
100
10
100
1000
Surge Capability
I
FSM
Peak
Half
-
Wave
Current
(A)
Number of Cycles at 50Hz
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
Transient Thermal Impedance
Transient
Thermal
Impedance
(
o
C/W)
t
Time
(sec.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG835C03R | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG835C03R | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG835C04R | MAX 7000 CPLD 256 MC 208-RQFP |
| YG838C03R | Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
| YG838C03R | 38 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG835C03R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG835C03R_01 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG835C03RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| YG835C04R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| YG835C04RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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