型号: | YG835C03R |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | SC-67, TO-220F15, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 46K |
代理商: | YG835C03R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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YG835C04R | MAX 7000 CPLD 256 MC 208-RQFP |
YG838C03R | Zener Diode; Application: Low noise; Pd (mW): 250; Vz (V): 4.0 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 0.5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
YG838C03R | 38 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
YG838C04R | 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
YG858C12R | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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YG835C03R_01 | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
YG835C03RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
YG835C04R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
YG835C04RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
YG838C03R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |