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参数资料
| 型号： | YG855C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 544K |
| 代理商： | YG855C12R |
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3
YG855C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
Fo
rw
ar
d
P
ow
er
D
is
si
pa
tio
n
(W)
Io Average Output Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
140
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Reverse Power Dissipation (max.)
α
=180°
DC
P
R
Rev
er
se
Power
D
iss
ip
at
io
n
(W)
VR Reverse Voltage (V)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.1
1
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Tj=150°C
Tj=125°C
Tj=100°C
Tj=25°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
F
or
w
ard
C
ur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Reverse Characteristic (typ.)
Tj= 25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
IR
Rever
se
Cur
re
nt
(u
A)
VR Reverse Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG865C08R | 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C06R | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C08R | 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG868C10R | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG875C20R | 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG855C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
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