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参数资料
| 型号： | YG858C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | YG858C12R |
2
YG858C12R
3
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
Outline Drawings [mm]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG861S15R | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG864S06R | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG865C06R | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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