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参数资料
| 型号： | YG858C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | YG858C12R |
4
YG858C12R
5
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
λ:Conduction angle of forward current for each rectifier element
Io:Output current of center-tap full wave connection
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
DC
Current Derating
(Io-Tc) (max.)
Ｔ
ｃ
Ca
se
Te
mp
e
ra
t
ur
e
（
℃
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
λ
360°
I0
VR=60V
0
1
0
1
0
1
10
100
1000
Junction Capacitance Characteristic (max.)
C
j
Ju
nc
tio
n
C
ap
ac
ita
nc
e
(p
F)
VR Reverse Voltage (V)
0
1
0
1
10
100
1000
Surge Capability (max.)
Ｉ
F
S
M
P
ea
k
H
al
f
-
Wa
ve
Cu
rr
en
t
（
Ａ
）
Number of Cycles at 50Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG861S15R | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG864S06R | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG865C06R | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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