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参数资料
| 型号： | YG858C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | YG858C15R |
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YG858C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
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8
10
12
14
16
18
0
2
4
6
8
10
12
14
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18
20
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24
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Per 1element
DC
Forward Power Dissipation (max.)
W
F
Fo
rw
ar
dP
ow
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
Io Average Output Current (A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
4
6
8
10
12
α
=180°
Reverse Power Dissipation (max.)
DC
P
R
ev
er
se
Po
w
er
D
is
si
pa
tio
n
(W
)
VR Reverse Voltage (V)
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Forward Characteristic (typ.)
IF
Fo
rw
ar
d
C
ur
re
nt
(A
)
VF Forward Voltage (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140 150 160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Reverse Characteristic (typ.)
IR
Rev
erse
C
ur
re
nt
(uA)
VR Reverse Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG861S15R | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG864S06R | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG865C06R | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG865C10R | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06RSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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