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参数资料
| 型号： | YG858C15R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | YG858C15R |
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YG858C15R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
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1
0
1
0
1
10
100
1000
Surge Current Ratings (max.)
IF
SM
P
ea
kH
Al
f-W
av
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ur
re
nt
(A
)
tTime (ms) Sinewave
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Rth(j-c):2.0°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
Tr
an
si
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tT
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rm
al
Im
pe
da
nc
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(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| YG864S06R | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| YG865C10R | 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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