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参数资料
| 型号： | YG869C12R |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 551K |
| 代理商： | YG869C12R |
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5
YG869C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
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1
0
1
0
1
100
Surge Current Ratings (max.)
IF
SM
P
ea
kH
A
lf-
W
av
eC
ur
re
nt
(A
)
tTime (ms) Sinewave
10
-3
10
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10
1
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2
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10
1
Rth(j-c):1.2°C/W
Transient Thermal Impedance (max.)
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an
si
en
tT
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rm
al
Im
pe
da
nc
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(°
C
/W
)
t Time (sec)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| YG875C12R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
| YG875C15R | 制造商:FUJI 制造商全称:Fuji Electric 功能描述:Ultra Low IR Schottky Barrier Diode |
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