- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373776 > ZDT6757 (ZETEX PLC) COMPLEMENTARY MEDIUM POWER TRANSISTORS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZDT6757 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 0.5 A, 300 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | ZDT6757 |
PNP TRANSISTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-300
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-300
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cutoff
Current
I
CBO
-100
nA
nA
V
CB
=-160V, I
E
=0
V
CB
=-200V, I
E
=0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-100
nA
V
EB
=-3V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
50
40
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
Transition
Frequency
f
T
30
MHz
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
20
pF
V
CB
=-20V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FZT757 datasheet.
ZDT6757
3 - 380
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZDT6790 | COMPLEMENTARY MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT690 | DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT694 | DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT705 | DUAL PNP MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| ZDT717 | DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZDT6757TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT6757TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT6758TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN & PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT6758TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT6790 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。