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参数资料
| 型号： | ZDT705 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL PNP MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 1 A, 120 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | ZDT705 |
SM-8 DUAL PNP MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995
PARTMARKING DETAIL T705
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
T
j
:T
stg
-140
V
Collector-Emitter Voltage
-120
V
Emitter-Base Voltage
-10
V
Peak Pulse Current
-4
A
Continuous Collector Current
-1
A
Operating and Storage Temperature
Range
-55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Total Power Dissipation at T
amb
= 25°C*
Any single die on
Both die on equally
P
tot
2.25
2.75
W
W
Derate above 25°C*
Any single die on
Both die on equally
18
22
mW/ °C
mW/ °C
Thermal Resistance - Junction to Ambient*
Any single die on
Both die on equally
55.6
45.5
°C/ W
°C/ W
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner
on a PCB with copper equal to 2 inches square.
ZDT705
3 - 345
C
1
C
1
C
2
C
2
B
1
E
1
B
2
E
2
SM-8
(8 LEAD SOT223)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZDT717 | DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZDT705TA | 功能描述:达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ZDT705TC | 功能描述:达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ZDT717 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT717TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT717TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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