- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373776 > ZDT705 (ZETEX PLC) DUAL PNP MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZDT705 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL PNP MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 1 A, 120 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | ZDT705 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-140
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(SUS)
-120
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cutoff Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
V
CB
=-120V
V
CB
=-120V,
T
amb
=100°C
Collector Cutoff Current
I
CES
-10
μ
A
V
CE
=-80V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-8V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.3
-2.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-1mA*
I
C
=-2A, I
B
=-2mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.8
V
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.7
V
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
3K
3K
3K
2K
30K
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V*
I
C
=-100mA, V
=-5V*
I
C
=-1A, V
CE
=-5V*
I
C
=-2A, V
CE
=-5V*
Transition Frequency
f
T
160 Typical
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=20MHz
Input Capacitance
C
ibo
90 Typical
pF
V
EB
=-0.5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
15 Typical
pF
V
CE
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
0.6 Typical
μ
s
I
C
=-0.5A, V
=-10V
I
B1
=I
B2
=-0.5mA
t
off
0.8 Typical
μ
s
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZDT705
3 - 346
3 - 347
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZDT717 | DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT749 | DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZDT751 | DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZDT758 | DUAL PNP MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZF2UOA01AMAU | Pushbutton Switches |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZDT705TA | 功能描述:达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ZDT705TC | 功能描述:达林顿晶体管 Dual 120V PNP HighG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| ZDT717 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:DUAL PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| ZDT717TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZDT717TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual 12V PNP HighG RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。