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参数资料
| 型号： | ZDT694 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL NPN MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTORS |
| 中文描述： | 0.5 A, 120 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | ZDT694 |
3 - 343
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
120
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
120
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cutoff Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=100V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
0.25
0.5
V
V
I
C
=0.1A, I
B
=0.5mA*
I
C
=0.4A, I
B
=5mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=1A, I
B
=10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.9
V
I
C
=1A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
500
400
150
I
C
=100mA, V
CE
=2V*
I
C
=200mA, V
CE
=2V*
I
C
=400mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
130
MHz
I
=50mA, V
CE
=5V
f=50MHz
Input Capacitance
C
ibo
200
pF
V
EB
=0.5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
9
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
80
2900
ns
ns
I
C
=100mA, I
B1
=10mA
I
B2
=10mA, V
CC
=50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZDT694
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