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参数资料
| 型号： | ZHB6790 |
| 厂商： | ZETEX PLC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE |
| 中文描述： | 2 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | SM-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | ZHB6790 |
PNP TRANSISTORS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-50
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-40
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cutoff Current
I
CBO
-0.1
μ
A
V
CB
=-30V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.14
-0.25
-0.45
-0.75
V
V
V
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.5mA*
I
C
=-500mA, I
=-5mA*
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
I
C
=-2A, I
B
=-50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
V
I
C
=-1A, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.75
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
300
200
150
I
C
=-100mA, V
=-2V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=50MHz
Input Capacitance
C
ibo
225
pF
V
EB
=-0.5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
24
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
35
600
ns
I
C
=-500mA,
I
B1
= -50mA
I
B2
=-50mA, V
CC
=-10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%.
ZHB6790
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZHB6792 | BIPOLAR TRANSISTOR H-BRIDGE |
| ZHCS1000 | SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT” |
| ZHCS1006 | SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE ”SuperBAT” |
| ZHCS2000 | 40V SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| ZHCS2000TA | 40V SILICON HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZHB6790 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
| ZHB6790TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT H-Bridge-40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZHB6790TC | 功能描述:两极晶体管 - BJT H-Bridge-40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZHB6792 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| ZHB6792TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT H-Bridge-70V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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