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参数资料
| 型号： | ZVN4106DC |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）决策支持系统|芯片 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVN4106DC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP3306D | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVP2110D | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVP0540D | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVP0535D | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVNL120DB | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4106F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes |
| ZVN4106FTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4106FTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVN4106F Series 60 V 5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 |
| ZVN4106FTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4206A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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