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参数资料
| 型号： | ZVP0535D |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| P通道| 350V五（巴西）决策支持系统|芯片 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVP0535D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVNL120DB | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVNL120DA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| VN10LFTA | TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
| VN10LF | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 150MA I(D) | SOT-23 |
| ZVP2106D | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP0535L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 120MA I(D) | TO-220 |
| ZVP0540A | 功能描述:MOSFET P-Chnl 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP0540ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP0540ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP0540ASTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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