- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录359399 > ZVNL120DB Transient Voltage Suppressor Diodes PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVNL120DB |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）决策支持系统|芯片 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVNL120DB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVNL120DA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| VN10LFTA | TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
| VN10LF | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 150MA I(D) | SOT-23 |
| ZVP2106D | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVN2120DC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVNL120DC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVNL120G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-Channel 200V 0.32A SOT223 |
| ZVNL120GTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVNL120GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVNL120G Series 200V 10 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-223 |
| ZVNL120GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。