- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18765 > ZVN4306A (Diodes Inc)MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ZVN4306A |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
| 其它图纸： | TO-92 TO-92 Pin Out TO-92 Front TO-92 Side |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4306A
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Practical Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DP
I DM
Value
60
±20
1.1
1.3
15
Unit
V
V
A
A
A
Thermal Characteristics
@T A = 25°C unless otherwise specified
Power Dissipation
Characteristic
Symbol
P D
Value
850
Unit
mW
Practical Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Leads
Operating and Storage Temperature Range
(Note 2)
(Note 2)
(Note 3)
P DP
R θ JA
R θ JA
R θ JL
T J , T STG
1.13
150
111
50
-55 to +150
W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
Notes:
2. For a device mounted on 25mm X 25mm X 1.6mm FR-4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air condition.
3. Thermal resistance from junction to solder-point
ZVN4306A
Document number: DS33367 Rev. 4 - 2
2 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4310A | MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 |
| 5246-0 | IC TEST TIP ADAPTER BLACK |
| DPC-20-45 | XFRMR PWR 115/230V 10V 90MA 1VA |
| MRF49XA-I/ST | IC RF TXRX 433/868/915 16-TSSOP |
| ZVN4306AV | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4306A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
| ZVN4306ASTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4306AV | 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。