参数资料
型号: ZVN4306A
厂商: Diodes Inc
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描述: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
其它图纸: TO-92
TO-92 Pin Out
TO-92 Front
TO-92 Side
标准包装: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 330 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V
功率 - 最大: 850mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 散装
产品目录页面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4306A
Electrical Characteristics
ZVN4306A
Document number: DS33367 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
ZVN4310A MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
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ZVN4306AV MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
相关代理商/技术参数
参数描述
ZVN4306A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE
ZVN4306ASTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4306ASTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4306ASTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4306AV 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube