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参数资料
型号： ZVN4310GTC
厂商： Diodes Inc
文件页数： 3/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CHAN 100V SOT223
标准包装： 4,000
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 1.67A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 540 毫欧 @ 3.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds： 350pF @ 25V
功率 - 最大： 3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装： SOT-223
包装： 带卷 (TR)
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4310G
Electrical Characteristics
ZVN4310G
Document number: DS33372 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
January 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
ZVN4424A 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4424A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE
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ZVN4424ASTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4424ASTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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