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参数资料
| 型号： | ZVN4310GTC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 540 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4310G
Package Outline Dimensions
SOT223
Dim Min Max Typ
A
A1
b1
b2
C
D
E
E1
e
e1
L
Q
1.55 1.65 1.60
0.010 0.15 0.05
2.90 3.10 3.00
0.60 0.80 0.70
0.20 0.30 0.25
6.45 6.55 6.50
3.45 3.55 3.50
6.90 7.10 7.00
— — 4.60
— — 2.30
0.85 1.05 0.95
0.84 0.94 0.89
A
A1
Suggested Pad Layout
X1
All Dimensions in mm
Y1
Y2
X2
ZVN4310G
Document number: DS33372 Rev. 4 - 2
C2
C1
4 of 5
www.diodes.com
Dimensions
X1
X2
Y1
Y2
C1
C2
Value (in mm)
3.3
1.2
1.6
1.6
6.4
2.3
January 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN4424ASTOB | MOSFET N-CHAN 240V TO92-3 |
| ZVN4424GTC | MOSFET N-CHAN 240V SOT223 |
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| ZVN4525E6TC | MOSFET N-CHAN 250V SOT23-6 |
| ZVN4525GTC | MOSFET N-CHAN 250V SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVN4424A | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4424A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE |
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| ZVN4424ASTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVN4424ASTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 240V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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