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参数资料
| 型号： | ZVP4525E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 250V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 197mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 73pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP4525E6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX. UNIT CONDITIONS.
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
-250
-285
V
I D =-1mA, V GS =0V
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage
I DSS
I GSS
-30
±1
-500
±100
nA
nA
V DS =-250V, V GS =0V
V GS = ± 40V, V DS =0V
I =-1mA, V DS = V GS
Gate-Source Threshold Voltage
Static Drain-Source On-State Resistance (1)
Forward Transconductance (3)
V GS(th)
R DS(on)
g fs
-0.8
80
-1.5
10
13
200
-2.0
14
18
V
?
?
mS
D
V GS =-10V, I D =-200mA
V GS =-3.5V, I D =-100mA
V DS =-10V,I D =-0.15A
DYNAMIC (3)
Input Capacitance
C iss
73
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
12.8
3.91
pF
pF
V DS =-25 V, V GS =0V,
f=1MHz
SWITCHING (2) (3)
Turn-On Delay Time
t d(on)
1.53
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
3.78
17.5
7.85
ns
ns
ns
V DD =-30V, I D =-200mA
R G =50 ? , V GS =-10V
(refer to test circuit)
Total Gate Charge
Q g
2.45
3.45
nC
Gate-Source Charge
Gate Drain Charge
Q gs
Q gd
.22
.45
.31
.63
nC
nC
V DS =-25V,V GS =-10V,
I D =-200mA(refer to
test circuit)
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage (1)
V SD
0.97
V
T j =25°C, I S =-200mA,
V GS =0V
Reverse Recovery Time (3)
Reverse Recovery Charge (3)
t rr
Q rr
205
21
290
29
ns
nC
T j =25°C, I F =-200mA,
di/dt= 100A/ μ s
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
ISSUE 1 - MARCH 2001
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ZVP4525GTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525TA | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVP4525TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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