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参数资料
| 型号： | ZVP4525E6TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 250V SOT23-6 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 197mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 73pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ZVP4525E6
CHARACTERISTICS
ISSUE 1 - MARCH 2001
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP4525GTC | MOSFET P-CHAN 250V SOT223 |
| ZVP4525ZTA | MOSFET P-CH 250V 200MA SOT-89 |
| ZXM61N02FTC | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 |
| ZXM61N03FTC | MOSFET N-CHAN 30V SOT23-3 |
| ZXM61P02FTC | MOSFET P-CHAN 20V SOT23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZVP4525G | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVP4525GTA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525GTC | 功能描述:MOSFET P-Chnl 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ZVP4525TA | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZVP4525TC | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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