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参数资料
| 型号： | ZXGD3001E6TA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 1.3ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1479 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXGD3001E6DKR |
ZXGD3001E6
SOT23-6 Package outline
Pad latout details
0.95
0.037
2.2
0.087
1.06
0.042
0.65
0.026
mm
inches
DIM
Millimeters
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
C
D
E
E1
L
e
e1
L
0.90
0.00
0.90
0.35
0.09
2.70
2.20
1.30
0.10
0°
0.95 REF
1.90 REF
1.45
0.15
1.30
0.50
0.26
3.10
3.20
1.80
0.60
30°
0.0354
0.00
0.0354
0.0078
0.0035
0.1062
0.0866
0.0511
0.0039
0°
0.0374 REF
0.0748 REF
0.0570
0.0059
0.0511
0.0196
0.0102
0.1220
0.1181
0.0708
0.0236
30°
Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches
Issue 1 - October 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
7
www.zetex.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3002E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3003E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3004E6TA | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 |
| ZXGD3005E6TA | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| ZXGD3101N8TC | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3001E6TA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZXGD3001E6TA Single Channel 9 A High Side MosFet Driver - SOT-23-6 |
| ZXGD3002E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:9A(peak) Gate driver in SOT23-6 |
| ZXGD3002E6TA | 功能描述:功率驱动器IC 9A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ZXGD3003E6 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:5A(peak) gate driver in SOT23-6 |
| ZXGD3003E6TA | 功能描述:功率驱动器IC 5A Gate Driver Mosfet RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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