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参数资料
| 型号： | ZXGD3101N8TC |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端或低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 525ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 180V |
| 电源电压： | 5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ZXGD3101N8TCDKR |
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXGD3101N8
SYNCHRONOU S R ECTIFIER CONTROLLER
Electrical Characteristics @T A = 25°C, V CC = 10V,
R BIAS =1.8k ? , R REF =3k ?
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input and supply characteristics
V DRAIN ≤ -200m V
-
3
-
Operating current
I OP
V DRAIN ≥ 0V
-
8
-
mA
Gate Driver
Turn-off Threshold Voltage(Note 4)
V T
V G(off)
V G = 1V, (Note 5)
V DRAIN ≥ 0V, (Note 5)
-45
-
-16
0.6
0
1
mV
V DRAIN = -60mV, (Note 6)
5.0
7.5
-
GATE output voltage (Note 4)
V DRAIN = -80mV, (Note 6)
7.0
8.5
-
V G
V DRAIN = -100mV, (Note 6)
V DRAIN ≤ -140mV, (Note 6)
V DRAIN ≤ -200mV, (Note 6)
8.4
9.2
9.3
9
9.4
9.5
-
-
-
V
GATEH peak source current
GATEL peak sink current
Turn on Propagation delay
Turn off Propagation delay
Gate rise time
Gate fall time
I SOURCE
I SINK
t d1
t d2
t r
t f
V GH = 1V
V GL = 5V
C L = 2.2nF, (Notes 6 and 7)
2.5
2.5
525
15
305
20
-
-
A
A
ns
ns
ns
ns
Notes:
4. GATEH connected to GATEL
5. R H = 100k ? , R L = O/C
6. R L = 100k ? , R H = O/C
7. Refer to Fig 6: test circuit and Fig 7: timing diagram on Page 12
ZXGD3101N8
Document Number DS31945 Rev. 1 - 2
3 of 14
www.diodes.com
June 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZXGD3101T8TA | IC FLYBACK CONVERTER SOT223-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ZXGD3101T8 | 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:Synchronous rectifier controller for flyback converters |
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| ZXGD3103N8 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SYNCHRONOUS MOSFET CONTROLLER |
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